ลิตเทลฟิวส์ เปิดตัว มอสเฟตความแรงสูงประสิทธิภาพสูง

เมื่อความดันวงจรเพิ่มขึ้นในช่วง kilovolt, อุปกรณ์พลังงานประเพณีเผชิญกับโจทย์สองอันตรายของความเสี่ยงความล้มเหลวและความจํากัดทางความร้อน,ระบบการถ่ายภาพรังสีเอ็กซ์ทางการแพทย์ และการเก็บพลังงานจากเครือไฟฟ้า การบรรลุการควบคุมการสลับความดันสูงที่มีประสิทธิภาพ มั่นคง และคอมพัคต์ ได้กลายเป็นโจทย์สําคัญในด้านอิเล็กทรอนิกส์พลังงาน

หลักการทางเทคนิคและข้อดีหลัก

ซีรีย์ใหม่ของ MOSFETs มาตรฐานช่อง N ความดันสูงมาก (VHV) เป็นการแก้ไขในระดับอุตสาหกรรมที่ออกแบบเพื่อแก้ปัญหาเหล่านี้เครื่องยนต์ยนต์ยนต์.5kV เทคโนโลยีนี้นําเสนอแนวทางสถาปัตยกรรมใหม่ ในการแปลงพลังงานความดันสูง

ข้อดีหลักคือความอดทนความกระชับกําลังและการใช้งานง่ายการออกแบบวงจรไฟฟ้าความดันสูงแบบดั้งเดิมมักต้องการ MOSFETs ความดันต่ําหลายอันที่เชื่อมต่อกันเป็นชุดเพื่อกระจายความดันซึ่งเพิ่มความซับซ้อนของวงจร ปัญหาการออกแบบวงจรของไดรเวอร์ และใช้พื้นที่ PCB ที่มีค่าการออกแบบระดับความดันสูงของอุปกรณ์เดียว ทําให้ระบบวงจรเรียบง่ายอย่างมีประสิทธิภาพในขณะที่ลดจํานวนส่วนประกอบในวงจรขับ, ส่งผลให้ระบบมีความน่าเชื่อถือ

นอกจากนี้ อุปกรณ์เหล่านี้ยังมีปริมาณอุณหภูมิบวก (PTC) สําหรับความต้านทานในการทํางาน คุณสมบัติทางกายภาพนี้แสดงว่ามีความสําคัญในการใช้งานในระยะ paralel:เมื่อมีอุปกรณ์หลายเครื่องทํางานพร้อมกัน, กระแสอัตโนมัติกระจายเท่าเทียมกัน, ป้องกันการหลบร้อนที่เกิดจากการอุ่นเกินในพื้นที่.ทําให้มีพลังงานผลิตที่สูงขึ้นในราคาที่ต่ํากว่า.

เทคโนโลยีการบรรจุและคุณสมบัติไฟฟ้า

เพื่อให้มั่นคงในสภาพแวดล้อมที่รุนแรง, ซีรี่ย์ใช้เทคโนโลยีการบรรจุไฟฟ้าแรงสูง ISOPLUS TM เจ้าของเอง.การประกันความปลอดภัยระหว่างอุปกรณ์และระบายความร้อน, ขณะที่เทคโนโลยีพื้นฐาน DCB (ผูกทองแดงโดยตรง) ที่มีความทันสมัยให้ความสามารถในการนําไฟที่ดีที่สุดสอดคล้องกับมาตรฐานความปลอดภัยอุตสาหกรรมที่เข้มงวด.

ลักษณะทางเทคนิคหลักๆ ได้แก่

• ความดันปิดสูง: การสนับสนุนอุปกรณ์เดียวสําหรับความอดทนความดันสูงถึง 4.5kV, ลดการสูญเสียเรียงจากอุปกรณ์ที่เชื่อมต่อเป็นลําดับ
• โครงสร้างคอมแพคต์: การออกแบบความหนาแน่นของพลังงานสูง ลดการใช้งาน PCB ให้น้อยลงอย่างมาก ทําให้ระบบสามารถลดขนาดได้
• การติดตั้งง่าย: การออกแบบแพคเกจแบบมาตรฐาน ลดความยากลําบากในการบูรณาการระบบในขณะที่ปรับปรุงประสิทธิภาพการประกอบการผลิต

การใช้งานทั่วไป

ด้วยผลงานที่โดดเด่นในสภาพแวดล้อมความดันสูง ซีรีย์ MOSFET นี้พบการใช้งานในหลายพื้นที่สําคัญ:

• วงจรการออกกําลัง: ให้บริการการควบคุมการสลับที่รวดเร็วและน่าเชื่อถือได้ในระบบพลังงานแรงกระแทกที่ต้องการการปล่อยพลังงานสูงทันที
• การบริหารพลังงานความดันสูง: ทําหน้าที่เป็นองค์ประกอบการสลับหลักที่สนับสนุนการทํางานที่มั่นคงของระบบพลังงานแบบดันสูง
• เครื่องกําเนิดแรงกระแทกและรูปคลื่น: สามารถปรับปรุงแรงกระแทกความถี่สูง ความดันสูงในเครื่องขับเลเซอร์และอุปกรณ์วัดความแม่นยํา
• ระบบถ่ายภาพทางการแพทย์: สามารถควบคุมพลังงานความดันสูงในเครื่องผลิตรังสีเอ็กซ์ได้อย่างแม่นยํา เพื่อให้ภาพมีคุณภาพและมั่นคง
• การเปลี่ยนเรเล่ความดันสูง: เปลี่ยนเรเล่ทางกลในวงจรที่ต้องการการสลับบ่อย ๆ การกําจัดการขัดขวางวงจรและขยายอายุการใช้งาน
• การเก็บเกี่ยวพลังงานจากเครือข่าย: ทําให้สามารถสกัดพลังงานได้อย่างปลอดภัยและมีประสิทธิภาพจากสายไฟฟ้าความดันสูงในแอปพลิเคชั่นของเครือข่ายฉลาด

มุมมองในอนาคต

MOSFET ระดับความดันสูงนี้เป็นมากกว่าเพียงแค่อุปกรณ์สลับพลังงาน มันนําเสนอวิธีการบูรณาการที่สมบูรณ์แบบ ระดับระบบการจัดการความร้อนที่ดีและกลยุทธ์การขับเคลื่อนที่เรียบง่าย มันให้วิศวกรอิเล็กทรอนิกส์พลังงาน กับวิธีการที่สมดุลในการทํางานและค่าใช้จ่ายประสิทธิภาพสูงขึ้นและอายุการใช้งานที่ยาวนานกว่านี้ อุปกรณ์เหล่านี้พร้อมที่จะมีบทบาทที่สําคัญยิ่งขึ้นในการใช้งานพลังงานความดันสูง