 
|
เซรามิคโครงกระดูก NTC SMD Thermistor 0402 0603 0805 1206 Chip Varistor
รายละเอียดสินค้า:
| สถานที่กำเนิด: | จีน |
| ชื่อแบรนด์: | Uchi |
| ได้รับการรับรอง: | ROHS,REACH |
| หมายเลขรุ่น: | กทช.QV0402H-2220H |
การชำระเงิน:
| จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ: | 1 รีล |
|---|---|
| ราคา: | โปร่ง |
| รายละเอียดการบรรจุ: | เทปในรีล |
| เวลาการส่งมอบ: | 2 สัปดาห์ |
| เงื่อนไขการชำระเงิน: | T/T, Western Union, MoneyGram |
| สามารถในการผลิต: | 10 พันล้านต่อปี |
|
ข้อมูลรายละเอียด |
|||
| พิมพ์: | กทชเทอร์มิสเตอร์ | คุณสมบัติ: | เคลือบด้วยชั้นแก้ว ทนทานต่อความชื้นดีเยี่ยม มีความน่าเชื่อถือสูงและมีเสถียรภาพ ขนาดจิ๋ว ไม่มีสารตะ |
|---|---|---|---|
| ค่าเบต้า: | 0402,0603,0805,1206,1210,1812,2220 | ช่วงอุณหภูมิการทำงานกว้าง:: | -55℃～＋125℃； |
| คุณสมบัติ2: | ชุดค่าคงที่ B สำหรับการใช้งานต่างๆ | บรรจุภัณฑ์: | เทป |
| QV: | ชิปวาริสเตอร์ | วัสดุโครงกระดูก: | เซรามิกส์ |
| เน้น: | เซรามิค NTC SMD Thermistor,0402 NTC SMD Thermistor,1206 Chip Varistor |
||
รายละเอียดสินค้า
NTC SMD Thermistor 0402,0603,0805,1206 ชิปวาริสเตอร์
เหมาะสำหรับ: แรงดันใช้งานกว้างและช่วงพลังงาน เป็นตัวเลือกที่เหมาะสำหรับอุปกรณ์ไฟฟ้า ตัวควบคุม และวงจรสัญญาณจำนวนมาก
มันทำจากเซรามิกเซมิคอนดักเตอร์และใช้เทคโนโลยีการยึดพื้นผิวที่ไม่มีสารตะกั่ว
คุณสมบัติเคลือบด้วยชั้นแก้ว ทนทานต่อความชื้นดีเยี่ยม มีความน่าเชื่อถือสูงและมีเสถียรภาพ
ขนาดเล็ก ไม่มีสารตะกั่ว บัดกรีได้ดีเยี่ยม เหมาะสำหรับการติดตั้ง SMT ที่มีความหนาแน่นสูง
ช่วงอุณหภูมิการทำงานกว้าง:-55℃～＋125℃；
ชุดค่าคงที่ B สำหรับการใช้งานต่างๆ
แอปพลิเคชัน
อุปกรณ์โทรคมนาคม เช่น โทรศัพท์มือถือ โทรศัพท์ในรถยนต์ เป็นต้น
ระบบอัตโนมัติในสำนักงาน เช่น เครื่องพิมพ์ เครื่องแฟกซ์ โปรเจ็กเตอร์ คอมพิวเตอร์ตั้งโต๊ะ ฯลฯ
อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สำหรับผู้บริโภค เช่น เครื่องบันทึกวิดีโอ แล็ปท็อป อุปกรณ์สวมใส่ ฯลฯ
อื่นๆ เช่น แหล่งจ่ายไฟ, แบตเตอรี่แบบชาร์จไฟได้และเครื่องชาร์จ, ไฟ LED, ฯลฯ.
1 (โต๊ะ 1)
| พิมพ์ | ล. (มม.) | ก (มม.) | ที (มม.) | ก (มม.) |
| 0402 | 1.0±0.10 | 0.5±010 | 0.5±010 | 0.25±0.15 |
| 0603 | 1.6±0.15 | 0.8±0.15 | 0.8±0.15 | 0.3±0.20 |
| 0805 | 2.0±0.20 | 1.25±0.20 | 0.85±0.20 | 0.5±0.30 |
| 1206 | 3.2 ±0.20 | 1.6 ±0.20 | 1.2 สูงสุด | 0.5±0.25 |
| 1210 | 3.2 ±0.30 | 2.5 ±0.25 | 1.5 สูงสุด | 0.5±0.25 |
| 1812 | 4.5 ±0.40 | 3.2 ±0.30 | 2.0 สูงสุด | 0.25~1.0 |
| 2220 | 5.7 ±0.40 | 5.0 ±0.40 | 2.5 สูงสุด | 0.25~1.0 |
2 (โต๊ะ 2)
| ส่วนหนึ่ง | ① | ② | ③ |
|
ส่วนประกอบ |
ZnO เซมิคอนดักเตอร์เซรามิกสำหรับ ชิปวาริสเตอร์ |
อิเล็กโทรดภายใน (Ag หรือ Ag-Pd) |
ขั้วไฟฟ้า (สามชั้น Ag/Ni/Sn) |
| ① ประเภท | |
| QV | ชิปวาริสเตอร์ |
| ② นิ้ว (มม.) ขนาดภายนอก L×W | |
| 1206 | 0. 12×0.06 (3.2×1.6) |
| 1812 | 0. 18×0.12 (4.5×3.2) |
| ③ รหัสการสมัคร | |
| ชม |
การปราบปรามกระแสไฟกระชากสูง |
|
เ แรงดันไฟ DC สูงสุด |
|
| 090 | 9V |
| 380 | 38V |
|
เ ความคลาดเคลื่อนของแรงดันวาริสเตอร์ |
|
| K | ±10% |
| หลี่ | ±15% |
| ⑥ บรรจุภัณฑ์ | |
| ตู่ | เทป |
ต้องการทราบรายละเอียดเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์นี้