 
|
วงจรป้องกัน TVS วาริสเตอร์ 1206 1210 1812 2220 MOV Vari
รายละเอียดสินค้า:
| สถานที่กำเนิด: | จีน |
| ชื่อแบรนด์: | Uchi |
| ได้รับการรับรอง: | ROHS,REACH |
| หมายเลขรุ่น: | กทช |
การชำระเงิน:
| จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ: | 1 รีล |
|---|---|
| ราคา: | โปร่ง |
| รายละเอียดการบรรจุ: | เทปในรีล |
| เวลาการส่งมอบ: | 2 สัปดาห์ |
| เงื่อนไขการชำระเงิน: | T/T, Western Union, MoneyGram |
| สามารถในการผลิต: | 10 พันล้านต่อปี |
|
ข้อมูลรายละเอียด |
|||
| พิมพ์: | กทช เทอร์มิสเตอร์ | คุณสมบัติ: | เคลือบด้วยชั้นแก้ว ทนต่อความชื้นได้ดีเยี่ยม มีความน่าเชื่อถือและเสถียรภาพสูง ขนาดเล็ก ไม่มีตะกั่ว บ |
|---|---|---|---|
| ค่าเบต้า: | 0402,0603,0805,1206,1210,1812,2220 | ช่วงอุณหภูมิการทำงานที่กว้าง:: | -55℃～＋125℃； |
| คุณสมบัติ 2: | อนุกรมของค่าคงที่ B สำหรับการใช้งานต่างๆ | หมายเลขชิ้นส่วน QAM: | QV1206H380KT |
| เน้น: | MOV Vari TVS วาริสเตอร์,วงจรป้องกัน TVS วาริสเตอร์,MOV Vari NTC Thermistor |
||
รายละเอียดสินค้า
วงจรป้องกัน TVSวาริสเตอร์วงจร 1206,1210,1812,2220 MOV Vari
การวิจัยและพัฒนาระดับมืออาชีพและการผลิตตัวเหนี่ยวนำแบบรวม ตัวเหนี่ยวนำกาวแม่เหล็ก NR ตัวเหนี่ยวนำวงแหวนสี ตัวเหนี่ยวนำรูปตัว I ตัวเหนี่ยวนำชิป ตัวเหนี่ยวนำวงแหวนแม่เหล็ก และผลิตภัณฑ์ตัวเหนี่ยวนำอื่น ๆ และบริการที่กำหนดเองจัดส่งตรงจากโรงงาน, หมวดหมู่ครบถ้วน, ปริมาณมากและราคาดีเยี่ยม, เวลาจัดส่งสั้น, การรับประกันคุณภาพ, ความร่วมมือที่ซื่อสัตย์ และตัวเหนี่ยวนำข้างต้นมีอยู่ในสต็อกทั้งหมดและสามารถจัดส่งได้ตลอดเวลา
คุณสมบัติเคลือบด้วยชั้นกระจก ทนทานต่อความชื้นดีเยี่ยม มีความน่าเชื่อถือและความเสถียรสูง
ขนาดเล็ก ไม่มีสารตะกั่ว บัดกรีได้ดีเยี่ยม เหมาะสำหรับการติดตั้ง SMT ที่มีความหนาแน่นสูง
ช่วงอุณหภูมิการทำงานกว้าง:-55℃～＋125℃；
อนุกรมของค่าคงที่ B สำหรับการใช้งานต่างๆ
แอปพลิเคชัน
อุปกรณ์โทรคมนาคม เช่น โทรศัพท์มือถือ โทรศัพท์รถยนต์ ฯลฯ
สำนักงานอัตโนมัติ เช่น เครื่องพิมพ์ เครื่องโทรสาร โปรเจคเตอร์ คอมพิวเตอร์ตั้งโต๊ะ เป็นต้น
อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สำหรับผู้บริโภค เช่น เครื่องบันทึกวิดีโอ แล็ปท็อป อุปกรณ์สวมใส่ ฯลฯ
อื่นๆ เช่น พาวเวอร์ซัพพลาย, แบตเตอรี่แบบรีชาร์จและเครื่องชาร์จ, ไฟสนาม LED เป็นต้น
1 (ตาราง 1)
| พิมพ์ | ยาว (มม.) | กว้าง (มม.) | ที (มม.) | ก (มม.) | |
| 1206 | 3.2 ±0.20 | 1.6 ±0.20 | 1.2 สูงสุด | 0.50±0.25 | |
2 (ตาราง 2)
| ส่วนหนึ่ง | ① | ② | ③ |
|
ส่วนประกอบ |
ZnO เซมิคอนดักเตอร์ เซรามิกส์ สำหรับ ชิปวาริสเตอร์ |
อิเล็กโทรดภายใน (Ag หรือ Ag-Pd) |
เทอร์มินอลอิเล็กโทรด (Ag/Ni/Sn สามชั้น) |
| ① ประเภท | |
| คิว.วี | ชิปวาริสเตอร์ |
| ② นิ้ว (มม.) ขนาดภายนอก L×W | |
| 1206 | 0. 12×0.06 (3.2×1.6) |
| 1210 | 0. 12×0.10 (3.2×2.5) |
| ③ รหัสแอปพลิเคชัน | |
| ชม |
การปราบปรามกระแสไฟกระชากสูง |
| ⑦ รหัสภายใน |
| เอ บี ซี เอสเค…… |
|
④ แรงดันใช้งาน DC สูงสุด |
|
| 090 | 9V |
| 380 | 38V |
|
⑤ ความอดทนของแรงดันวาริสเตอร์ |
|
| เค | ±10% |
| แอล | ±15% |
| ⑥ บรรจุภัณฑ์ | |
| ต | เทป |
ต้องการทราบรายละเอียดเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์นี้