 |
SMD Varistor ด้วยความแรงดันกลับสูงสูงที่ได้รับการจัดอันดับสําหรับ DDR5 16Gb A-Die SDRAM ที่มีประสิทธิภาพ
รายละเอียดสินค้า:
| สถานที่กำเนิด: | ตงกวน, กวางตุ้ง, จีน |
| ชื่อแบรนด์: | UCHI |
| ได้รับการรับรอง: | SGS.MA.CTI.CQC |
| หมายเลขรุ่น: | DDR5 16Gb A-Die SDRAM |
การชำระเงิน:
| จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ: | 10,000 ชิ้น |
|---|---|
| ราคา: | โปร่ง |
| รายละเอียดการบรรจุ: | จำนวนมาก / เทป |
| เวลาการส่งมอบ: | 5-7 วัน |
| เงื่อนไขการชำระเงิน: | T / T, Paypal, Western Union, กรัมเงิน |
| สามารถในการผลิต: | 5,000,000,000PCS ต่อเดือน |
|
ข้อมูลรายละเอียด |
|||
| ชุดการผลิต: | วาริสเตอร์ SMD | กระแสสูงสุด: | แตกต่างกันไป (เช่น สูงถึงหลายแอมแปร์) |
|---|---|---|---|
| เทคโนโลยี: | ออกไซด์ของโลหะ | การดูดซึมพลังงาน: | โดยทั่วไป 0.1J ถึง 10J |
| การใช้งาน: | การป้องกันไฟกระชากในวงจรอิเล็กทรอนิกส์ | อัตราแรงดันไฟฟ้ากระแสตรง: | 385V |
| ชื่อดี: | SMD วาริสเตอร์ 10D471K 470V 10% | ต้านทานพลังงาน: | ก 0.02JB 0.05J |
| ความต้านทานของฉนวน: | โดยทั่วไป >100 MΩ | เทอร์มินัล: | เมาท์ SMT พิเศษ |
| อุณหภูมิในการจัดเก็บ: | -55 +125 | วาริสเตอร์แรงดันไฟฟ้ากระแสสลับ: | 175-385V |
| แรงดันวาริสเตอร์: | 470V+/-10% | ||
| เน้น: | SMD Varistor สําหรับ DDR5 SDRAM,วาริสตอร์แรงดันกลับสูงสุด,SMD Varistor พร้อม A-Die ความเหมาะสม |
||
รายละเอียดสินค้า
DDR5 16Gb A-Die SDRAM
1.1 คุณสมบัติหลัก
• เป็นไปตามมาตรฐาน JEDEC;
• แหล่งจ่ายไฟ: VDD/VDDQ = 1.1V (1.067V (-3%) ถึง 1.166V (+6%));
• แหล่งจ่ายไฟ: VPP = 1.8V (1.746V (-3%) ถึง 1.908V (+6%));
• แพ็คเกจมาตรฐาน JEDEC: 82-ball FBGA สำหรับ x4/x8, 102-ball FBGA สำหรับ x16;
• การกำหนดค่า Array:
• 32 banks (8 bank groups, 4 banks ต่อ bank group) สำหรับ x4/x8;
• 16 banks (4 bank groups, 4 banks ต่อ bank group) สำหรับ x16;
• สถาปัตยกรรม 16n-bit prefetch;
• ความยาว Burst (BL): รองรับ BL16, BC8 OTF, BL32(Optional), BL32 OTF(Optional); • Programmable CAS Latency (CL);
• Programmable CAS Write Latency (CWL);
On-Die Termination (ODT) ผ่านการตั้งค่า Mode Register: RTT_PARK, RTT_WR, RTT_NOM_WR, RTT_NOM_RD, DQS_RTT_PARK
Same Bank Refresh และ All Bank Refresh สำหรับ Normal Refresh Mode และ Fine Granularity Refresh Mode; • โหมด Fine granularity refresh 2x (0°C ≤ TCase ≤ 85°C), 4x (85°C ≤ TCase ≤ 95°C) สำหรับ tRFC ที่เล็กลง;
• Bi-directinal Differential Data-Strobe;
• อินเทอร์เฟซ POD (Pseudo Open Drain) สำหรับการรับส่งข้อมูล, คำสั่ง และแอดเดรส;
• รองรับ Connectivity Test Mode (TEN);
• VREF ภายในสำหรับอินพุตข้อมูล, อินพุตคำสั่ง/แอดเดรส และ chip select;
• CAI (Command Address Inversion);
• รองรับโหมด 1N/2N สำหรับคำสั่ง;
• รองรับ 4-tap Decision Feedback Equalizer (DFE);
• รองรับ Loopback และ bit Error Rate Test;
• รองรับ hPPR/sPPR; รองรับ sPPR Do/undo/Lock;
• โหมดการฝึกฝน (Training Modes):
• VrefDQ / VrefCA / VrefCS Training
• Read Training Mode
• CA Training Mode
• CS Training Mode
• Per Pin VREFDQ Training
• Write Leveling Training Mode
• Duty Cycle Adjuster (DCA) สำหรับ Read - Global
• Per Pin DCA (Duty Cycle Adjuster) สำหรับ Read - Per Pin (DQ) • Per DRAM Addressability (PDA);
• Maximum Power Saving Mode (MPSM);
• Multi-Purpose Command (MPC);
• Asynchronous reset สำหรับ power up;
อุณหภูมิเคสขณะทำงาน: 0°C ≤ TCase ≤ 95°C;
• รองรับโหมด auto-refresh และ self-refresh;
• ช่วงเวลา Refresh เฉลี่ย:
• 3.9 μs/32ms, 8K cycles ที่ 0°C ≤ TCase ≤ 85°C; • 1.95 μs/16ms, 8K cycles ที่ 85°C < TCase ≤ 95°C;
Programmable Read/Write preambles และ postambles;
• รองรับ Cyclic Redundancy Code (CRC) สำหรับความสมบูรณ์ของข้อมูล Read/Write; • On-Die ECC;
• ECC Transparency และ Error Scrub;
• MBIST / mPPR;
• ไม่รองรับ Gear Down Mode;
• Package Output Driver Test Mode;
• ไม่รองรับ Partial Array Self Refresh (PASR);
• เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS
หมายเหตุ:
ฟังก์ชันการทำงานที่อธิบายไว้และข้อกำหนดด้านเวลาที่รวมอยู่ในเอกสารข้อมูลนี้มีไว้สำหรับโหมดการทำงานแบบ DLL Enabled (การทำงานปกติ) เว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น
DDR5 SDRAM Package Specifications
บทนี้จะแนะนำขนาดแพ็คเกจและ ballout ในการกำหนดค่า x4/x8/x16 ซึ่งอาจช่วยในการจับคู่อุปกรณ์ของคุณ
DDR5 SDRAM Package Dimension บนหน้า 7
• DDR5 SDRAM x8 Ballout โดยใช้ MO-210-AN – 82-ball บนหน้า 8 • คำอธิบาย Pinout บนหน้า 9
ต้องการทราบรายละเอียดเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์นี้
